-时 间： 2013/8/1 15:03:52
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一 取晶棒
1、取晶棒之前一定要对单晶炉进行热检并做好记录(热检的泄露率 一般情况下要比加热前低)。
2、充氩气开炉时要控制其流量，防止流量过大时晶棒晃动。
3、使晶棒完全进入副室，盖住隔离阀后方可上升副室(有时由于晶棒太长，籽晶已达硬限位时，晶棒还未完全进入副室，我们应该先 不要上升晶棒，应先提升副室，等副室达上限位时才提升晶棒)。这样做的目的是防止机械震动引起掉棒砸坏热系统 。
4、副室达上限位时将挡板移至副室正下方，在移动副室往左旋转的过程中一定注意不要让晶棒碰到副室内壁(最好戴上高温手套扶住晶棒的尾部)。
5、下降晶体使晶棒准确无误的进入取晶器中(禁止打自动下降籽晶)，防止晶棒碰铁之类的物体(由于热应力使晶体内部产生内裂，从而在切片过程中出现裂纹，崩边，碎片等)。当下降籽晶使籽晶绳承受力达一定值时停止下降，一个人扶住取晶器，一个人戴上高温手套扶住晶棒，一个人左手抓住重锤，右手拿籽晶钳往细颈处最细的地方剪断(应垂直于细颈处平行剪断，即呈现90度夹角)。
6、将晶棒移至规定区域自然冷却，一定不要放在空调，风扇，风机，经常开门和窗等通风处。
7、下降籽晶绳检查其是否有毛刺，褶痕等(一有问题应立即更换籽晶绳，对于留在副室内的籽晶绳应用手电去照)。
二 拆炉
准备好拆炉所需工具，按正确的方法依次取出石墨件，防止人 被烫伤与石墨件的损坏(缺角，摔坏等)。
三 清炉
1、仔细检查石墨件有无裂纹等(尤其是加热器，连杆，托盘，石墨坩埚和导流筒)，对照石墨器件跟踪单查看各部件的使用寿命，确定某些部件是否需要更换。
2、做好小清炉记录，达到工艺要求规定多少炉需要大清时方便计算总共进行了多少次小清，是否达到大清要求(换油也是如此)。
3、清扫大罐时一定要做到定炉定罐的清扫，切记不要打开旁边单晶炉的大罐。
4、当达到工艺要求需要大清炉时，在清扫坩埚轴处的波纹管时，一定要将‘O’型密封圈完全放入槽内，否则在紧固螺丝时会压断‘O’型密封圈。
5、抽气管道一定要清扫干净，使其下一炉排气通畅，否则排气不畅使单晶很难拉制，甚至只有作停炉处理(因管道堵塞没法排气，使二氧化硅在炉内聚集，使观察窗与CCD窗口越来越模糊，直至看不清)。 6当我们在换油时，使用完的擦油布一定不要忘了拿出真空泵的真空腔，一旦忘在里面可能使真空泵暴死，产生严重的倒吸，使单晶很难拉制甚至无法拉制。
四 装炉
1、顺序为自下而上，由内到外
2、必须确定的地方：抽气口是否对准;磁泡子和石英玻璃是否损坏;取温孔是否对准;加热器螺丝是否拧紧;连杆是否拧紧;反射板是否与加热器相连，间距是否一致;各种对中是否合理;连杆是否擦住石墨环;保温罩与保温罩之间是否严丝合缝;三瓣坩埚间是否有高低。
3、装完炉后合炉进行初始化(也叫回原点)，不做此工作使下一炉拉晶时不能进入自动状态。
五 装料
1、仔细核对装料单，将原料过秤称重，看重量是否与料单上总重相符。
2、取出坩埚后不能用裸手接触石英坩埚，不能用蘸有无水乙醇的无尘纸擦拭石英坩埚。
3、当不小心料从手里滑落掉入坩埚内接触坩埚壁时一定要报告上级(就算已经装了一半了，掉入大料也要报告上级)。
4、装料过程中禁止将料掉落在石英坩埚外面，可能引起打火(最好在装好石英坩埚后放好盖板，上升坩埚使石英坩埚上沿与盖板下沿的距离间隔5mm为宜)。
5、装料的方法参见装料工艺(怎样防止挂边，搭桥，漏硅等)。
六 抽空
以点动式的形式开启真空泵，待其稳定后，慢慢开启主室真空球阀，切勿瞬间开启球阀。抽空到一定压力时应充入定量的氩气致使抽空效果更佳。
七 化料
1、由于我们化料工艺是分步加热的，禁止一次将功率开到最高或者到了升温时间而忘记升温或者要升温的功率数字已改但去点开时没有点到的.
2、密切注意化料情况，一有问题应立即采取相应措施。
3、当原料还有一小部分时应及时的降功率，若发现原料有杂质时我们应该在剩下一点原料时引入吊渣工艺。
4、化料完后由于熔硅温度较高，应该分步提升坩埚位置，防止过快提升引起喷硅。切换功率控制为温度控制，将温度设定为上次引晶温度进行安定。
5、直拉单晶炉化料方式有两种，即导流筒上挂式和下放式。对于导流筒上挂式这种化料方式，由于其特点是利用钼三爪将导流筒升至最高位置，在塌料后，我们需要下降籽晶(即是下降导流筒)，此时一定要看清楚操作面板上的按钮，一定不能上升籽晶，否则钼三爪碰住炉颈使其断裂，从而导流筒和钼三爪掉进坩埚中，使整埚原料报废。
八 引晶
1、下降籽晶时应分阶段下降，不能因为节约时间而一次下降到底。
2、引晶对于120Kg投料来说直径应在5mm.
3、下降籽晶眼睛必须盯住炉内，防止下降过头使原籽晶吃料，更严重的使重锤融化。
4、上升坩埚时眼睛盯住炉内，防止上升过头淹没导流筒。
5、在引晶之前调整埚位在合适的位置，不宜太低，太低在等径的过程中很容易使晶棒扭曲;太高万一有机械振动产生可能使液面粘住导流筒。
6、引晶前在副室内应将籽晶先扶稳，防止其晃动。并且用蘸有无水乙醇的无尘纸轻轻将籽晶往下拉一下，以免在等径过程中由于晶体自重产生晶体下落使晶体变晶。
7、CCD系统一经调整完毕，一定不能触碰它，否则晶体直径会偏细，可能导致其无法剖方而报废。要求不间断目测晶体直径。
九 放肩
控制液面温度，严禁过快降温，否则在没有人观察的时候可能结晶使液面粘住导流筒;放肩角度控制在150度为佳。
十 转肩
禁止将拉速从放肩拉速0.3---0.5mm/min一步改成转肩拉速，应该分步逐渐往上加拉速，否则晶棒很容易断棱。
十一 等径
1注意液面间距，防止埚升太快而淹没导流筒。
2禁止长时间不观察等径状态下的单晶炉，以免发生断棱后不知道，等发现时多晶已经拉了很长;晶体扭曲不知道;直径失控不知道，使其直径不断变大从而超过导流筒的内径;掉棒不知道。
3当快收尾时，应注意液面间距，适当加快埚升速度，保持间距平衡，否则间距会越来越远，影响收尾效果，直径可能变细。
十二 收尾
收尾一定不能离人。收尾以慢收尾为主，控制好拉速和温度，禁止收断现象发生。当坩埚余料不多时应密切注意液面情况，防止结晶粘住晶体。
十三 煅烧
煅烧过程应密切观看炉内情况，有无异常;观看电流表指针情况;分阶段的用手感觉炉体表面的温度和出水管温度，以防冷却水内杂质堵住水管时炉体温度升高(尤其是紫铜电极处冷却水管)。
十四 回熔与吊渣
1、当晶体长度没有达到加工要求而断棱时，应作回熔处理。当我们在退出自动后，一定要下降坩埚使晶体或籽晶与硅液面脱离，严禁上升籽晶使二者脱离(因为二者脱离时液面晃动很严重，升籽晶而不降坩埚会使导流筒吃料)。
2、在回熔过程中严禁将很长一段晶体完全放入熔硅中回熔，以防晶体底部接触石英坩埚使其破裂而发生漏硅事故。
3、由于回熔过程中液面高度会上涨，应适当调整坩埚位置，以防液面接触导流筒。
4、吊渣完毕后应先将渣提升至导流筒上沿冷却5min，在上升其至副室内，关闭隔离阀上炉体充氩气至一定量时，停止充氩气，使渣再冷却几分钟，最后再充气取渣。这样做使籽晶不至于急剧降温使其产生内裂而影响拉晶。