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高频区熔晶体生长炉
高频区熔晶体生长炉在真空、氩气、氮气和还原性气分保护下工作，周期性作业。 　　 该设备温度可达3500℃，真空度可达到6.67×10-3Pa，具有单晶生长速度快、晶体截面大、控制技术先进等特点，可广泛应用于半导体材料、电子发射阴极材料的制备和提纯。 　　 电器控制系统精选进口电气元件及测量元件，控制柜设有人机界面、触摸屏控制系统，可通过PLC编程对操作参数和运行过程进行控制。